Después de crear las láminas microscópicamente delgadas para conducir energía –corriente o luz–, las cuales suelen utilizarse en paneles solares y en dispositivos láser y electrónicos como el celular, se presentó un 23 % de impurezas por alta presencia de oxígeno y 19 % de carbón, datos que sirven para determinar que su rendimiento energético es bajo.
En los paneles solares la ineficiencia energética hace
referencia a sus limitantes para alcanzar un rendimiento óptimo en la
conversión de la luz solar en electricidad; aunque esto depende de factores
como la sombra de un árbol o la antigüedad del dispositivo, también se
relaciona con la composición química con la que se creó la lámina conductora de
energía.
Para comparar los factores químicos que influyen en esta
deficiencia, a partir de indio, galio y nitrógeno, el ingeniero físico Andrey
Alessandro Rodríguez Ospina elaboró láminas con espesores imperceptibles al ojo
humano (20 micrómetros, más finos que el filo de una hoja de papel) y con una
dimensión de apenas 1 cm de ancho y largo, trabajo que adelantó en el
Laboratorio de Nanoestructuras Semiconductoras de la Universidad Nacional de
Colombia (UNAL) Sede Manizales.
Por su parte el galio, presente especialmente como un
subproducto de la extracción de aluminio, mejora las propiedades eléctricas por
su bajo punto de fusión.
Y el nitrógeno, al formar compuestos, puede fortalecer las
láminas proporcionando resistencia y estabilidad en diversas aplicaciones.
Comercialmente se obtiene a través de procesos como la destilación fraccionada
del aire.
Este trabajo se encuentra en la línea de investigación del
profesor Álvaro Pulzara Mora, del Departamento de Física y Química de la UNAL
Sede Manizales, quien, como integrante del grupo de investigación Magnetismo y
Materiales Avanzados, ha realizado valiosos aportes al desarrollo de nuevas
técnicas para elaborar materiales semiconductores dirigidos a distintos
dispositivos tecnológicos.
Alta tecnología
Las láminas se crearon mediante pulverización catódica con
un magnetrón sputtering, equipo que contiene un blanco de los
elementos como indio, galio y nitrógeno (cátodos). En esta cámara de vacío se
introduce gas argón para generar un plasma. Así, los iones resultantes
colisionan con el blanco liberando átomos del material objetivo. Estos se
depositan en un sustrato, como la lámina de cobre, formando una película
delgada con propiedades específicas.
“Es importante usar el argón (gas incoloro, inodoro e
insípido), ya que el tamaño de su átomo es óptimo para generar la separación de
las partículas, y además no contamina la muestra. El proceso puede tardar entre
30 minutos o más de dos horas, según el tamaño de la muestra”, explica el
ingeniero.
En otra fase del estudio, y para entender la composición
química de la superficie del material, en el Laboratorio del Centro de
Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional
(Cinestav) en México, se utilizó el método por espectroscopia de fotoelectrones
por rayos X (XPS), que permite ver los átomos en la superficie de un material
al analizar la energía de los electrones expulsados cuando es bombardeado con rayos
X.
El análisis de la muestra reveló la presencia de enlaces de
indio con oxígeno, e indio y nitrógeno, y de galio con nitrógeno. Además, se
observaron similitudes en la composición superficial y en los enlaces químicos
entre las muestras a 300 y 400 °C, destacando la estabilidad general.
Sin embargo, se identificaron diferencias notables como el
aumento del enlace nitrógeno-indio a temperaturas más elevadas. También se
evidenció la importancia de considerar la temperatura en la formación de
enlaces de carbono, en especial en presencia de silicio como sustrato.
“En la caracterización se determinó la presencia de más del
23 % de oxígeno y más del 19 % de carbón, que no es poco,
considerados como impurezas que limitan la eficiencia de energía”. Pese a ello,
no es posible eliminarlas del todo, ya que, “por más potente que sea el
magnetrón, lo que se puede hacer es dejar las moléculas en su mínima expresión,
máximo a un 5 o 10 %, pero no podrán desaparecer por completo”, explica el
ingeniero.
Anota además que incluso para todo el proceso de
elaboración, primero es necesario vaciar o liberar toda la carga de los
elementos dentro del magnetrón entre 2 y 5 días para prepararlo. “Si se lograra
reducir esas impurezas, por ejemplo la eficiencia de un panel solar pasaría del
estándar, que es entre un 28 y 30 % de uso de energía del 100 % que
recibe, a un 50 %”.
El estudio es muy importante ya que proporciona información
sobre la composición de los materiales empleados en la producción industrial de
semiconductores, utilizados cada vez más en nuestra cotidianidad.